有關(guān)開關(guān)電源元器材電磁干擾的來歷，分為尖峰干擾調(diào)和波干擾，傳導(dǎo)干擾和輻射干擾等，二極管的反向恢復(fù)時(shí)間惹起的干擾，開關(guān)管作業(yè)時(shí)發(fā)作的諧波干擾等的緣由與處置辦法。
開關(guān)電源元器材電磁干擾的來歷
開關(guān)電源發(fā)作的干擾，按噪聲干擾源種類來分，可分為尖峰干擾調(diào)和波干擾兩種；若按耦合通路來分，可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。
使電源發(fā)作的干擾不至于對(duì)電子體系和電網(wǎng)形成損傷的底子辦法是削弱噪聲發(fā)作源，或許堵截電源噪聲和電子體系、電網(wǎng)之間的耦合途徑。
功率開關(guān)器材的高額開關(guān)動(dòng)作是招致開關(guān)電源發(fā)作電磁干擾(EMI)的主要緣由。開關(guān)頻率的進(jìn)步一方面減小了電源的體積和重量，另一方面也招致了更為嚴(yán)重的EMI問題。
開關(guān)電源作業(yè)時(shí)，其內(nèi)部的電壓和電流波形都是在非常短的時(shí)間內(nèi)上升和降落的，因此，開關(guān)電源本身是一個(gè)噪聲發(fā)作源。
開關(guān)電源發(fā)作的干擾，按噪聲干擾源種類來分，可分為尖峰干擾調(diào)和波干擾兩種；若按耦合通路來分，可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。使電源發(fā)作的干擾不至于對(duì)電子體系和電網(wǎng)形成損傷的底子辦法是削弱噪聲發(fā)作源，或許堵截電源噪聲和電子體系、電網(wǎng)之間的耦合途徑。
按噪聲干擾源分類
1、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間惹起的干擾
交流輸入電壓經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)檎颐}動(dòng)電壓，經(jīng)電容平滑后變?yōu)橹绷鳎娙蓦娏鞯牟ㄐ尾皇钦也ǘ敲}沖波。由電流波形可知，電流中含有高次諧波。很多電流諧波重量流入電網(wǎng)，形成對(duì)電網(wǎng)的諧波污染。
別的，由于電流是脈沖波，使電源輸入功率因數(shù)降低。
高頻整流回路中的整流二極管正導(dǎo)游通時(shí)有較大的正向電流流過，在其受反偏電壓而轉(zhuǎn)向截止時(shí)，由于PN結(jié)中有較多的載流子積聚，因此在載流子消逝之前的一段時(shí)間里，電流會(huì)反向活動(dòng)，致使載流子消逝的反向恢復(fù)電流急劇削減而發(fā)作很大的電流變化(di/dt)。
2、開關(guān)管作業(yè)時(shí)發(fā)作的諧波干擾
功率開關(guān)管在導(dǎo)通時(shí)流過較大的脈沖電流。
例如，正激型、推挽型和橋式變換器的輸入電流波形在阻性負(fù)載時(shí)近似為矩形波，其間含有豐厚的高次諧波重量。當(dāng)采用零電流、零電壓開關(guān)時(shí)，這種諧波干擾將會(huì)很小。別的，功率開關(guān)管在截止期間，高頻變壓器繞組漏感惹起的電流突變，也會(huì)發(fā)作尖峰干擾。
3、交流輸入回路發(fā)作的干擾
無工頻變壓器的開關(guān)電源輸入端整流管在反向恢復(fù)期間會(huì)惹起高頻衰減振動(dòng)發(fā)作干擾。
開關(guān)電源發(fā)作的尖峰干擾調(diào)和波干擾能量，經(jīng)過開關(guān)電源的輸入輸出線傳播進(jìn)來而構(gòu)成的干擾稱之為傳導(dǎo)干擾；而諧波和寄生振動(dòng)的能量，經(jīng)過輸入輸出線傳播時(shí)，都會(huì)在空間發(fā)作電場和磁場。這種經(jīng)過電磁輻射發(fā)作的干擾稱為輻射干擾。
4、其他緣由
元器材的寄生參數(shù)，開關(guān)電源的原理圖規(guī)劃不行圓滿，印刷線路板（PCB）走線普通采用手工布置，具有很大的隨意性，PCB的近場干擾大，而且印刷板上器材的裝置、放置，以及方位的不合理都會(huì)形成EMI干擾。
增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估量的難度。
0.15MHz處發(fā)作的振動(dòng)是開關(guān)頻率的3次諧波惹起的干擾。
0.2MHz處發(fā)作的振動(dòng)是開關(guān)頻率的4次諧波和Mosfet振動(dòng)2（190.5KHz）基波的迭加，惹起的干擾；所以這局部較強(qiáng)。
0.25MHz處發(fā)作的振動(dòng)是開關(guān)頻率的5次諧波惹起的干擾；0.35MHz處發(fā)作的振動(dòng)是開關(guān)頻率的7次諧波惹起的干擾；0.39MHz處發(fā)作的振動(dòng)是開關(guān)頻率的8次諧波和Mosfet振動(dòng)2（190.5KHz）基波的迭加惹起的干擾；1.31MHz處發(fā)作的振動(dòng)是Diode振動(dòng)1（1.31MHz）的基波惹起的干擾；3.3MHz處發(fā)作的振動(dòng)是Mosfet振動(dòng)1（3.3MHz）的基波惹起的干擾。
