開關電源就是采用半導體器件去作為開關元件，通過周期性的開關，控制開元件來調整輸出電壓。開關電源的構成框圖如圖1所示，它由輸入電路、變換電路、輸出電路和控制電路等組成。功率變換是其核心部分，主要由開關電路和變壓器組成。為了滿足高功率密度的要求，變換器需要工作在高頻狀態(tài)，開關晶體管要采用開關速度高、導通和關斷時間短的晶體臂，最典型的功率開關晶體管有功率晶體管（CTR）、功率場效應管（(MOSFET）和絕緣型雙極型晶體管（IGBT）等3種。控制方式分為脈寬調制、脈頻調制、脈寬和頻率混合調制等3種，其中最常用的是脈寬調制（PWM）方式。
從60年代開始得到發(fā)展和應用的 DC一DC PWM 功率變換技術是一種硬開關技術。為了使開關電源在高頻狀態(tài)下也能高效率地運行，國內外電力電子界和電源技術界自70年代以來，不斷研究開發(fā)高頻軟開關技術。軟開關和硬開關波形比較如圖2所示。
從圖可以看出，軟開關的特點是功率器件在零電壓條件下導通（或關斷)，在零電流條件下關斷（或導通）。與硬開關相比，軟開關的功率器件在零電壓、零電流條件下工作，功率器件開關損耗小。與此同時，du/dt和di/dt大為下降，所以它能消除相應的電磁干擾（EMI）和射頻干擾（RFI) ,提高了變換器的可靠性。同時，為了減小變換器的體積和重量，必須實現高頻化。要提高開關頻率，同時提高變換器的變換效率，就必須減小開關損耗。減小開關損耗的途徑就是實現開關管的軟開關，因此軟開關技術軟開關技術已經成為是開關變換技術的一個重要的研究方向。本文對軟開關和硬開關的工作特性進行比較，并對軟開關技術進行了詳細闡述。
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